hiệu ứng đường ngầm

hiệu ứng đường ngầm

Có ai giải thích giúp mình về " Hiệu ứng đường ngầm " với
xin cám ơn rất nhiều

không hiểu bạn cần biết ở mức độ nào nhỉ ? nếu giải thích một cách đơn giản thì hiệu ứng đường ngầm là hiện tượng hạt mang năng lượng W thấp vẫn có khả năng xuyên qua hàng rào thế năng với U >> W.
Hiệu ứng đường ngầm xảy ra khá rõ rệt ở kích thước vi mô ( chiều rộng hàng rào vào cỡ nguyên tử 10 mũ -10 mét thì hệ số truyền qua xấp xỉ 10% ), nó biểu hiện rõ tính chất sóng của vi hạt, điều không thể có trong cơ học cổ điển chuyển động của các hạt vĩ mô

Mình muốn biết rõ hơn về những ứng dụng & nguyên lý hoạt động của các ứng dụng đó

anh Ha?i antichrixt đang la?m mấy cái project vê? tunel effect đấy, bạn gọi đến số 04.7260982 để trực tiếp ho?i nhé, anh ấy quý sinh viên lắm

Giải Nobel vật lý năm 1973 được trao cho 3 người có công trong việc phát triển lý thuyết hiệu ứng đường ngầm trong chất rắn đó là các giáo sư Leo Esaki, Ivar Giaever và Brian Josephson . Ông Esaki người nhật làm việc cho công ty sony . Năm 1957 sony nghiên cứu chip bán dẫn thế hệ mới nhưng không thành công . Khi ngiên cứu vật liệu bàn dẫn loại PN nghiên cứu sinh Takashi Suzuki phát hiện một lượng lớn electron đi qua theo một chiều nhất định và không có ngược lại . Anh báo cáo cho giáo sư Esaki sau đó dưới chỉ đạo của giáo sư thí nghiệm được thực hiện nhiều lần và Esaki xác định việc electron vượt rào cản và ông phát triển lý thuyết hiệu ứng đường ngầm trong chất rắn làm nền tảng cho việc nghiên cứu chế tạo chip bán dẫn sau này . Nói cách dễ hiểu hạt e lẽ ra không thể có mặt ở vùng đối diện vì bị ngăn cách bởi lớp cách điện . Thế nhưng nó vẫn xuất hiện số lượng lớn . Việc di chuyển từ A sang B trong thời gian tức thời không cần thông qua một vùng không gian chuyển tiếp gọi là hiệu ứng đường ngầm trong vật lý lượng tử . Khái niệm như vậy là không thể nào cho vật lý cổ điển . Việc Esaki dẫn đầu trong nghiên cứu hiệu ứng đường ngầm trong chất rắn giúp Sony đạt thành tựu vĩ đại trong công nghiệp bán dẫn . Ngày nay Nhật đang nghiên cứu hiện tượng cộng hưởng chuyển cực hiệu ứng đường ngầm để chế tạo transistors thế hệ mới nhất gọi là spins transistors .

kính hiển vi điện tử loại AFM (atomic force microscopy) có 1 chế độ áp dụng tunnel effect.
tuy nhiên tunnel effect cũng là 1 trở ngại khi thực hiện thu nhỏ transistor bán dẫn từ silic (silicium).

Anh anti nói giống sách thế.
Đọc mấy bài của các bác cuối cùng em chẳng hiểu nguyên lý ứng dụng của nó thế nào, mặc dù được nghe nói nhiều trong KT điện tử.
Bác nào có thể giải thích thêm hộ cái.

STM = Scan Tunel Microscope = Kính hiển vi hiệu ứng đường ngầm quét (??) cũng dùng hiệu ứng này đấy. Hình như báo vnexpress hay là vnn.vn có thông báo (cách đây 1 hoặc 2 năm) là Viện vật lý kỹ thuật ở nghĩa đô hà nội có nhóm của giáo sư Hoài đã tự chế được loại này thì phải.

đúng roa?i đó
Bác Trâ?n Xuân Hoa?i cu?ng nhóm nghiên cứu đaf chế tạo tha?nh công STM thương mại, tư? ba?n chống rung đến các thiết bị phâ?n cứng khác, ngay ca? phâ?n mê?m điê?u khiê?n cufng tự viết, rất hay.
Đây la? bước đột phá hay nhất cu?a VL nước ta trong va?i năm gâ?n đây
bạn na?o câ?n ta?i liệu vê? đê? ta?i trên thi? PM cho tớ nhé, tớ cho mượn đi photo

chú học môn cụ Nghị rô?i ma? co?n lơ mơ thế na?y a?