Hỏi về phương pháp đo 4 mũi dò!

Hỏi về phương pháp đo 4 mũi dò!

Chào các bạn.
Tôi đang tìm hiểu phương pháp đo 4 mũi dò. Nếu bạn nào biết về phương pháp ấy cho tôi biết vài điều cơ bản có được không?. Và nếu có tài liệu thì càng tốt quá. Các vật liệu có thể ứng dụng phương pháp này để đo độ dẫn điện?
Xin cảm ơn các bạn đã giúp đỡ!

Đây là phương pháp dùng đo điện trở của các vật liệu bán dẫn, và các vật liệu dẫn điện kém mục đích là để tránh sai số gặp phải khi có điện trở tiếp xúc giữa mẫu đo và điện cực. Tài liệu thì chỉ có bằng tiêng nước ngoài thôi, bạn có thể dùng google để tìm khá là nhiều!

Thông thường, muốn đo điện trở của một vật ta dùng mutimeter, và đọc giá trị hiển thị.
Với điện trở R<1ohm (điện trở nhỏ), ảnh hưởng của tiếp xúc giữa que đo và mẫu đo là rất lớn (điện trở tiếp xúc), kết quả đo không chính xác. Nên phải thay thế bằng phương pháp 4 mũi dò để hạn chế ảnh hưởng của điện trở tiếp xúc bởi việc tách riêng tiếp xúc đo dòng và tiếp xúc đo thế.
Ứng dụng phương pháp này khá nhiều trong ngành công nghệ vật liệu (vật liệu bán dẫn, siêu dẫn, từ, nhiệt điện trở ... ) nhằm xác định những thay đổi độ dẫn của vật liệu, xác định nhiệt độ chuyển pha, độ pha tạp trong bán dẫn...

Bác muốn biết thêm thì vào đây coi(tiếng anh):
http://www.ntu.edu.sg/home2002/023840208/Chap_6_1.pdf
coi từ trang 56. Nói chung vẫn còn sơ sài, nhưng cũng chấp nhận được ở mức tiềm hiểu. Tôi vẫn còn giử giáo án thực nghiệm cho phần này, nếu bác thực sự cần(vì phãi di scan nữa) thì tôi post lên.

cảm ơn các bác đã giúp đỡ. Nhưng mà mọi thứ vẫn chưa rõ lắm, tôi muốn hiểu tường tận để còn sử dụng vào trong thực nghiệm. Cảm phiền bác king_hung có tranh thủ được thời gian post cụ thể thì tôi cảm ơn lắm.

Đọc cái này có lẽ cụ thể hơn:
www.oberlin.edu/physics/Scofield/p414/four-probe.pdf
Chúc thành công!

Hôm nay sub cho về sớm, nên đi scan phần lab manual cho bạn oldmanbk. Address là:
http://www.ntu.edu.sg/home2002/023840208/labpic/4probe1.jpg
các file khác là 4probe2.jpg đến 4probe7.jpg
Bạn nên phóng to hình ra một tí sẽ rõ hơn.
Tôi cũng nói rõ thêm những gì tôi còn nhớ về bài thí nghiệm này cho bạn tiện đọc. Thí nghiệm được tiến hành trên một tấm silicon wafer, dày khoãng 356micromet, đường kính khoãng 10cm. Một dụng cụ thí nghiệm nửa là cái Contact Probe Station. Nhiệm vụ của nó là giữ chặt cái wafer dưới đế bằng hút chân không(vacuum) và áp cái collinear 4-point probe(tức có 4 cực đặt song song thẳng hàng như trong hình). Sau đó thì áp một cái nguồn dòng vào 2 cực ngoài từ 1 đến 10mA. Khoãng này là tốt nhất vì nếu nhỏ wá thì có noise, nếu lớn wá thì làm tăng nhiệt độ của tấm silicon wafer. Đo hiệu điện thế bên trong bằng một cái multimeter. Sáu đó dùng công thức như trong hình tính điện trớ suất từng lần đo và lấy giá trị trung bình. 4-point probe phãi được đặt ở trung tâm vì nếu lệch ra biên thì có sai số tuy nhiên không cần chính xác ở trung tâm mà sai lệch tí xíu cũng được vì ngay cã công thức cũng gần đúng. Thí nghiệm này thật sự không đòi hỏi thiết bị phức tạp lắm và hoàn toàn có thể làm được trong điều kiện việt nam(trừ tấm silicon wafer thi tôi không biết kiếm đâu ra)

Hi!
Có thể liên hệ anh Toán làm tại phònh sạch (clean room) viện ITIMS - HUT, điện thoại: 04.8680787 (xin gặp anh Toán) để hỏi về Silicon wafer ~ 8 cm dia.
Chúc thành công!

cảm ơn bạn, vote cho bạn 1 ông sao về sự nhiệt tình nhé.
Bạn được thí nhgiệm về bài đo 4 mũi dò rồi chắc là hiểu nhiều về nó. Cho tôi hỏi thêm một chút nhé.
- Khoảng cách giữa các mũi dò là bất kỳ do mình chọn?
- vật liệu làm đầu dò và kích thước đầu dò thì như thế nào?
- khi đo có cần tạo một điện cực tiếp xúc giữa đầu đo và vật liệu hay không?

Khoãng cách giữa các mũi dò do mình chọn, nhưng trong bài tôi làm thì 4 cái mũi dò đã cố định rồi, khoãng cách ước chừng 0.5 cm. Chắc giáo án thí nghiệm đã có tính các yếu tố rồi, nên cứ tiếp tục giữ thông số này sẽ cho kq tốt.
Nếu bạn chịu khó đọc phần tài liệu kì trước thì đã trả lời được câu hỏi thứ 2 roài đó. Lần này tôi khuyến mãi bạn vậy, lần sau ráng đọc nhé: "a number of metals with high Young?Ts modulus are suitable for making the probes, but silicon carbide and tungsten are favoured because of their hardness".
Câu hỏi thứ 3 tôi ko hiểu ý bạn. Hiển nhiên là 4 cái mũi dò phãi tiếp xúc với wafer. Ngoài ra ko còn sự tiếp xúc về mặt truyền điện nào khác.